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无磨料SiCCMP抛光液（ClasSiC系列）JSYAPG-CLASSIC
应用场景
SiC晶圆批量/单片CMP、高去除率低缺陷
无磨料SiCCMP抛光液（ClasSiC系列）JSYAPG-CLASSIC
品牌：JSYA（吉圣雅） JSYAPG-CLASSIC 是 ClasSiC 系列无磨料 SiC CMP 抛光液，专为碳化硅（SiC）衬底、SiC 外延片及宽禁带半导体材料的化学机械抛光设计。产品以化学作用为主导，通过优化氧化剂、络合剂与表面调节剂实现***材料去除与低损伤表面加工。
一、技术指标
项目 | 技术参数 |
产品型号 | JSYAPG-CLASSIC |
产品系列 | ClasSiC 系列 |
产品类型 | 无磨料 SiC CMP 抛光液 |
主要成分 | 氧化剂、络合剂、表面调节剂、去离子水 |
应用基材 | SiC 衬底、SiC 外延片、宽禁带半导体材料 |
外观 | 透明至浅黄色液体 |
pH | 酸性至中性 |
介质 | 去离子水 |
加工特点 | 无磨料体系，化学作用主导，低损伤抛光 |
保质期 | 6 个月（密封避光，5–35℃储存） |
二、产品特点
1. 无磨料 CMP 体系 不依赖硬质磨料颗粒，减少由大颗粒引起的划伤、橘皮和表面缺陷。
2. ***化学机械抛光 通过氧化剂、络合剂与表面调节剂协同作用，促进 SiC 表面氧化、络合与去除，提升抛光效率。
3. 低损伤表面 化学作用与机械作用匹配，可降低表面损伤层，获得高质量 SiC 抛光表面。
4. 优异分散与洁净性能 体系澄清均匀，颗粒污染少，清洗性能好，适合半导体级洁净加工。
5. 稳定制程适配性 可与不同抛光设备、抛光垫及后清洗工艺配合，满足 SiC 衬底和外延片抛光需求。
三、典型应用场景
SiC晶圆批量/单片CMP、高去除率低缺陷
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